डॉ. आशीष वरदे

पदनाम: वैज्ञानिक - डी
केंद्र: मशीन टूल्स और विशेष प्रयोजन उपकरण केंद्र (सी-एसपीएम)
ग्रुप: Chemical And Metallurgy Group
कार्यग्रहण दिनांक: 27th Feb 2012
ईमेल आईडी: ashishv[at]cmti[dot]res[dot]in
कार्यालय टेलीफोन नंबर: (+91) 080 22188 292
मोबाइल नंबर: (+91) 7982112288

  • वैज्ञानिक-डी, सीएमटीआई, बैंगलोर: 2018 – वर्तमान
  • वैज्ञानिक-सी, सीएमटीआई, बैंगलोर: 27 फरवरी 2012 – 2018
  • रिसर्च एसोसिएट, आईआईएससी, बैंगलोर: 2010 – 2011
  • 2010में आईआईएससी, बैंगलोर से पीएच.डी. (सामग्री और रासायनिक विज्ञान)
  • 2003में आईआईएससी, बैंगलोर से एम.एस. (रासयन विज्ञान)
  • 2000 में दिल्ली विश्वविद्यालय से बी.एससी. (ऑनर्स केमिस्ट्री)
  • सामग्री विज्ञान और रसायन विज्ञान की पृष्ठभूमि
  • कार्बोनसियस सामग्री कोटिंग्स पर कार्य किया।
  • ली आयन बैटरी संबंधित सामग्री पर कार्य कर रहे है।
  • एंटीरेफ्लेक्टिव और वियर प्रतिरोधक कोटिंग अनुप्रयोगों के लिए पीईसीवीडीप्रक्रिया द्वारा “डीएलसीकोटिंग्स के विकास की आंतरिक परियोजना में टीम के सदस्य” (पूर्ण)
  • पीईसीवीडीप्रक्रिया द्वारा “सीएनटीकोटिंग्स का विकास” की आंतरिक परियोजना में टीम के सदस्य (पूर्ण)
  • आंतरिक सिलिकॉन पॉलिमर आधारित एनोडिक सामग्री (2020 – वर्तमान) का विकास करके ली आयन बैटरी के “मॉड्यूलर डिजाइन” की आंतरिक परियोजना में मुख्य समन्वयक।
  • बड़े नकारात्मक मैग्नेटोरेसिस्टेंस और मेटल-इंसुलेटर संक्रमण का निरीक्षण एमएनओ / सी कम्पोजिट कोटिंग्स में धातु के रासायनिक रासायनिक वाष्प जमावद्वारा सिरेमिक एल्युमिना पर हुआ। आशीष वर्धे, एस ए शिवशंकर, कार्बन 49 (2011) 1401 में प्रकाशित।
  • टीआईओ2 के लिए प्रीकेसर कैमिस्ट्री: एक मिश्रित नाइट्रोजन / ऑक्सीजन लिजैंड क्षेत्र के साथ टाइटेनियम कॉम्प्लेक्स, ए. बाउनीमैन, एम. हेलविग, आशीष वर्धे, आर.के. भक्ता, एम. विंटर, एस ए शिवशंकर, आर.ए. फिशर और अंजना देवी, डाल्टन ट्रांस. 3485, 2006 में प्रकाशित।
  • थर्मोडायनामिक मॉडलिंग एमओसीऔर कार्बन डाइऑक्साइड की संरचना का विश्लेषण करने के लिए एमओसीवीडीद्वारा विकसित मैंगनीज के अन्य ऑक्साइड,सुकन्या धार, आशीष वर्धे, एस.ए. शिवशंकर, बुलेटिन ऑफ मैटेरियल्स साइंस 34 (2011) 11 में प्रकाशित।
  • जर्मन प्लाज्मा पर सुरक्षात्मक प्लाज्मा एंटीफ्लेक्टिव कोटिंग्स के लिए आरएफ प्लाज्मा संवर्धित रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा निर्मित हीरे की तरह कार्बन कोटिंग, आशीष वर्धे, अंकित कृष्णा, के. निरंजन रेड्डी, एम. चेल्लामलाई, पी.वी. शशि कुमार,प्रोसेडिया मैटेरियल्स साइंस 5 (2014) 1015 में प्रकाशित।
  • आरएफपीईसीवीडीद्वारा निर्मित एसआई (100) पर डीएलसीकोटिंग का विस्तृत रमन अध्ययन, आशीष वर्धे, के. निरंजन रेड्डी, ससेन डी., अंकित कृष्णा, एम.चेल्लामलाई, पी.वी. शशिकुमार, प्रोसेडिया इंजीनियरिंग 97 (2014) 1452 में प्रकाशित।
  • एआरअनुप्रयोग के लिए आरएफ-पीईसीवीडीद्वारा सिलिकॉन पर डीएलसी की डबल साइड कोटिंग, के. निरंजन रेड्डी, आशीष वर्धे, अंकित कृष्णा, जे. जोसुआ, डी. ससेन, एम.चेल्लामलाई, पी.वी. शशिकुमार, प्रोसेडिया इंजीनियरिंग97 (2014) 1416 में प्रकाशित।
  • कमरे के तापमान पर पीईसीवीडी द्वारा हीरे की तरह कार्बन का उपयोग करके उच्च कठोरता आईआर ऑप्टिकल कोटिंग का साइनथेसिस।अंकित के., आशीष वर्धे, निरंजन रेड्डी के., शर्मिष्ठा धान, चेल्लामलाई एम., बालाशानमुगम एन., प्रशांत कृष्णा, डायमंड और संबंधित सामग्री, खंड 78, पृष्ठ 39-43, 2017 में प्रकाशित।
  • उच्चकठोरताकासंश्लेषण, कम सीओएफ डायमंड जैसा कार्बन कमरे के तापमान पर आरएफ-पीईसीवीडीका उपयोग करके और इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी का उपयोग करके इसकी संरचना का मूल्यांकन करना। अंकित के., आशीष वर्धे, निरंजन रेड्डी के., शर्मिष्ठा धान, चेल्लामलाई एम., बालाशानमुगम एन., प्रशांत कृष्णा,हीरा और संबंधित सामग्री वॉल्यूम 80, पृष्ठ 108-112, 2017 में प्रकाशित।
  • भारतीय पेटेंट नं .01793 / सीएचई / 2007. शीर्षक: एक कोटिंग और एक प्रक्रिया सबूत के रूप में इलेक्ट्रोड सामग्री की एक संरचना। आविष्कारक: आशीष वर्धे, एस ए शिवशंकर, सुकन्या धर, एस संपत।
  • अंतरराष्ट्रीय पीसीटी पर आवेदक नंबर पीसीटी / आईएन2007 / 000372। शीर्षक: एक कोटिंग और एक प्रक्रिया के रूप में इलेक्ट्रोड सामग्री की संरचना। आविष्कारक: आशीष वर्धे, एस ए शिवशंकर, सुकन्या धर, एस संपत।
  • यूनाइटेड स्टेट्स पेटेंट आवेदन प्रकाशन नंबर यूएस 2011/0110019 ए1। शीर्षक: एक कोटिंग और एक प्रक्रिया के रूप में इलेक्ट्रोड सामग्री की संरचना। आविष्कारक: आशीष वर्धे, एस ए शिवशंकर, सुकन्या धर, एस संपत।